FDPF045N10A:N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 164A, 4.5mΩ

FDPF045N10A 该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺专用于最大限度地降低通态电阻并保持出色的开关性能

技术特性
  • RDS(on) = 3.8mΩ (典型值)( VGS = 10V, ID = 100A)
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷,QG = 57nC(典型值)
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 符合RoHS标准
应用
  • AC-DC商用电源 AC-DC商用电源-服务器和工作站 AC-DC商用电源-台式计算机 其他数据处理
实物参考图

FDPF045N10A 实物参考图

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDPF045N10A 量产
从2010年12月起符合绿色标准
$2.93 TO-220F 3L 示意图  第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
3 (3 位日期代码) 
&K
第二行:FDPF
第三行:045N10A
FIT :  5.1  
RTHETA (JA) :  62.5  °C/W
RƟJC :  3.5  °C/W
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 100V, 164A, 4.5mΩ FDPF045N10A 1