FDPF390N15A:N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V, 15A, 40mΩ

FDPF390N15A 该N沟道MOSFET采用飞兆半导体®先进的 Power Trench®工艺生产,这一先进工艺专用于最大限度地降低通态电阻并保持出色的开关性能。

技术特性
  • VGS = 10 V且ID = 4.5A时,最大rDS(on) = 55 mΩ
  • VGS = 6 V且ID = 3.7A时,最大rDS(on) = 80 mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 广泛使用的表面贴装封装中的高功率和高电流处理能力。
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
应用
  • LED TV 消费型设备 其他音频与视频
实物参考图

FDPF390N15A 实物参考图

 

订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDPF390N15A 量产 $0.8 SO 8L NB 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
&2 (2 位日期代码) &K
第二行:FDS
第三行:86252
FIT :  5.1  
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  600  V
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
N 沟道 PowerTrench® MOSFET 150V, 15A, 40mΩ FDPF390N15A 1