FDS86106:100V N沟道Power Trench® MOSFET

FDS86106 这一N沟道MOSFET器件采用飞兆半导体的高级PowerTrench®工艺生产,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化

技术特性
  • VGS = 10 V,ID = 3.4 A时,最大rDS(on) = 105 mΩ
  • VGS = 6 V,ID = 2.7 A时,rDS(on) = 171 mO(最大值)
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 在广泛使用的表面贴装封装中可实现高功率和高电流处理能力
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准
实物参考图

FDS86106 实物参考图

应用
  • 服务器和大型机 工作站 台式计算机 笔记本电脑 PC服务器 多媒体平板电脑 存储和外设 打印机 图形卡 LCD监视器 CRT/RPTV 其他数据处理 路由器和LAN网关 SAN 长途列车与地铁 宽带接入 宽带调制解调器 企业语音网络 中央办公室 广播和工作室 其他有线通信 WLAN网卡和宽带接入 WLAN接入点/路由器 移动通信基础设施 外部AC-DC商用电源-有线通信 其他无线通信 PMP/MP3播放器 家用音频系统组件 CRT/RPTV LCD 电视 PDP电视 摄像机 DVD机 机顶盒 DSC 视频游戏机 电子书阅读器 消费型设备 AC-DC商用电源-视频游戏机、平板电视、DVR、STB 其他音频与视频 其他消费型电子 医疗电子/设备 自动化 测试和测量 楼宇和住宅控制 其他工业 军用和民用航空
订购信息 Ordering Information
产品 生态状况 价格 封装信息 封装标记规则 资格支持
FDS86106 量产 $0.348 SO 8L NB 示意图
胶带卷轴
第一行:$Y (飞兆徽标) 
&Z (工厂编码) 
&2 (2 位日期代码) &K
第二行:FDS
第三行:86106
FIT :  5.1  
ESD (CDM) :  2000  V
ESD (HBM) :  200  V
应用指南
应用指南 说明
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概述 文档编号 版本
100V N沟道Power Trench® MOSFET FDS86106 1