FQI4N90:N 沟道 QFET® MOSFET 900V，4.2A，3.3Ω
FQI4N90 该 N 沟道增强型功率 MOSFET 产品采用飞兆半导体®的专有平面条形和 DMOS 技术生产。 这种先进的 MOSFET 技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。 这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。
技术特性
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应用
实物参考图
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订购信息 Ordering Information
| 产品 | 生态状况 | 价格 | 封装信息 | 封装标记规则 | 资格支持 | 合格证书 |
| FQI4N90TU | 量产 | $1.45 | TO-262 3L (I2PAK) 示意图 | 第一行:$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) 3 (3 位日期代码) &K 第二行:FQI 第三行:4N90 |
RTHETA (JA) : 40 °C/W RƟJC : 0.89 °C/W Moisture Sensitivity Level (MSL) : NA |
应用指南
| 应用指南 | 说明 |
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| 概述 | 文档编号 | 版本 |
| N 沟道 QFET® MOSFET 900V，4.2A，3.3Ω | FQI4N90 | 1 |
